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三极管基本知识及电子电图详解


2020-9-24 16:28:22

  早期,由于锗晶体较易获得,主要研制应用的是锗晶体三极管。硅晶体出现后,由于硅管生产工艺很高效,锗管逐渐被淘汰。

  发射区高:为了便于发射结发射电子,发射区半导体掺浓度高于基区的浓度,且发射结的面积较小;

  集电结面积大:集电区与发射区为同一性质的半导体,但集电区的浓度要低,面积要大,便于收集电子。

  工艺结构在半导体产业相当重要,PN结不同材料成份、尺寸、排布、浓度和几何结构,能制成各样各样的元件,包括IC。

  UBER是三极管启动的临界电压,它会受集射极电压大小的影响,正常工作时,NPN硅管启动电压约为0.6V;

  基极电流IB一定时,集极IC与集-射电压UCE之间的关系曲线,是一组曲线时, IC0 ,称为三极管处于截止状态,相当于开关断开;

  当IB很大时,IC变得很大,不能继续随IB的增大而增大,三极管失去放大功能,表现为开关导通。

  信号频率在某一范围内,值接近一,当频率越过某一数值后,值会明显减少。

  值随集电极电流IC的变化而变化,IC为m别时值较小。一般地,小功率管的放大倍数比大功率管的大。

  ICEO是由少数载流子漂移运动形成的,它与温度关系很大,ICEO随温度上升会急剧增加。温度上升10℃,ICEO将增加一倍。

  温度上升,、IC将增大,UCE将下降,在电设计时应考虑采取相应的措施,如远离热源、散热等,克服温度对三极管性能的影响。

  规律一:对中大功率三极管,集电极明显较粗大甚至以大面积金属电极相连,多处于基极和发射极之间;

  随着工作频率的升高,三极管的放大能力将会下降,对应于=1 时的频率T叫作三极管的特征频率。袁惟仁老婆

  

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